e-Repository BATAN

Advanced Search

PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE IMPLANT ASI ION

Toto Trikasjono, TT and Darsono Sayono, DS (2000) PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE IMPLANT ASI ION. PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE IMPLANT ASI ION, 2 (1). pp. 167-172. ISSN 1411-1349

[img]
Preview
Text
PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE IMPLANT ASI ION.pdf

Download (783kB) | Preview

Abstract

PEMBUATAN DAN KARAKTERlSASI DIODE BERSTRUKTUR MIS DENGAN METODE IMPLANTASIION. Telah dilakukan pembuatan don karakterisasi diode berstruktur MIS dengan metode implantasi ion oksigenpada energi 60 keV.Dosis dopan yang diimplantasikan berturut-turut 9,715Xl 016 ion-cm-', 7,731X 1011ion-cm-', 2,472X JO18ion-cm-', 6,181X JO18ion-cm-' don 1,275X 1019ion-cm-'. Setelah diimplantasi, cuplikan di anil pada suhu 1000 DCselama 240 menit. Cuplikan diukur resistivitas, kapasitansi don tegangan dadal MIS dengan karakteristik Vol Tebal SiO, untuk energi ion 60 keV diukur secara tidak langsung dengan mengukur besarnya kapasitansi dari MIS yang terbentuk. Pada pengukuran metode V-Ididapatkan tegangan dadal paling besar adalah 15,0 volt don ini dicapai pada dosis 1,275X JO19ion-cm"', sedangkan teballapisan Silikon dioksida pada dosis 1,275 X JO19 ion-cm-' adalah 0,48 J.l1I1. Dapat disimpulkan bahwa nilai resistivitas, tegangan dadal don tebal lapisan silikon dioksida akan semakin besar dengan bertambahnya dosis ion dopan yang diimplantasikanpada target.

Item Type: Article
Subjects: Reaktor Nuklir > Pemanfaatan Reaktor
Divisions: Sekolah Tinggi Teknologi Nuklir
Depositing User: USER STTN BATAN
Date Deposited: 15 Nov 2018 02:08
Last Modified: 15 Nov 2018 02:59
URI: http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/1756

Actions (login required)

View Item View Item