e-Repository BATAN

Advanced Search

PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DIIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR SILIKON PADA TENAGA 100 keY TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SiO2 TERKUBUR

Sayono, S and Darsono, D and Tjipto Suyltno, TS and Toto Trikasjono, TT (2000) PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DIIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR SILIKON PADA TENAGA 100 keY TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SiO2 TERKUBUR. PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DIIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR SILIKON PADA TENAGA 100 keY TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SiO2 TERKUBUR, 2 (1). pp. 109-115. ISSN 14ll-1349

[img]
Preview
Text
PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DIIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR SILIKON PADA TENAGA 100 keV TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SiO2 TERKUBUR.pdf

Download (981kB) | Preview

Abstract

PENGARUH DOSIS ION OKSIGEN YANG DlIMPLANTASIKAN KE DALAM SEMIKONDUKTOR SIL1KON PADA ENERGI 100 keV TERHADAP PEMBENTUKAN LAPISAN ISOLATOR SI01 TERKUBUR. Telah dilakukan karakterisasipengaruh pembentukan lapisan isolator SiOlterkubur di dalam semikonduktor silikon type N yang diimplantasi dengan ion oksigen. /mplantasi dilakukan pada energl 100 keVdengandosis 9,7/5 x 1016ion/eml; 2,472 x 1018ion/eml; 1,275 x /019 ion/emldan /,530 xl0'° iOn/eml. Setelah diimplantasi euplikan dianil pada suhu 1000 °C selama 4 jam. Terbentulcnyalapisan isolator terkubur diamati resistivitasnya dengan menggunakan me/ode probe empat titik don juga diamali gambar mi/rronyadon kandungan unsur dengan menggunakan SEM-EDS. Hasil percobaan menunju1ckanbahwa resistivitas meningkat dengan penambahan do.rision ok.rigen.Teballapisan isolator terkubur berturut-turut untukdosis 2,472 x 1018ion/eml; 1,275 x 1019ionlcnl dan /,530 x I0'° ion/eml, masing-masing adalah (2.:t. 0,05) pm; (2,6.:t. 0,04) pm dan (3.:t. 0,03) pm. Kadungan unsur oksigen dalam siUkon untuk dosis 9,715 x 1016ion/eml; 2,472 x 10" ion/cm'; 1,275 x 1019ionlcm'dan 1,530 x/0'° ion/eml, masing-masing adalah (40,24 .:t.0,77) % atom; (41,24 .:t.0,68)% atom; ( 42,28 .:t.0,70) % atom dan ( 42,75 .:t.0,72)% atom.

Item Type: Article
Subjects: Reaktor Nuklir
Divisions: Sekolah Tinggi Teknologi Nuklir
Depositing User: USER STTN BATAN
Date Deposited: 15 Nov 2018 03:04
Last Modified: 15 Nov 2018 03:04
URI: http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/1770

Actions (login required)

View Item View Item