e-Repository BATAN

Advanced Search

DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS

Wirjoadi, wirjoadi and Yunanto, yunanto and Siswanto, Bambang (2007) DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS. Ganendra, 10 (2). pp. 33-38. ISSN p-ISSN: 1410-6957, e-ISSN: 2503-5029

[img]
Preview
Text
164-292-1-SM.pdf - Published Version

Download (816kB) | Preview

Abstract

DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe2) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS. Telah dilakukan deposisi lapisan tipis (CdS) tipe-N di atas lapisan tipis (CuInSe2) tipe-P pada substrat kaca, yaitu bagian dari komponen untuk sel surya CIS dengan teknik DC sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh deposisi lapisan tipis CdS di atas lapisan tipis CuInSe2 terhadap tipe konduksi. Untuk mendapatkan lapisan tipis CdS yang optimal, maka telah dilakukan variasi parameter sputtering yaitu waktu deposisi 30; 60; 90 dan 120 menit, tekanan gas 1,1 ´ 10-1; 1,2 ´ 10-1; 1,3x10-1dan 1,4 ´ 10-1 Torr, yang lain dibuat tetap yaitu suhu substrat 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA. Pengukuran resistansi dan tipe konduksi digunakan probe empat titik, Dari hasil pengukuran diperoleh bahwa nilai resistansi terendah R = 5,14 kW, pada kondisi waktu deposisi 60 menit, tekanan gas 1,3 ´ 10-1 Torr, suhu 200 oC, tegangan 3 kV dan arus 40 mA, kemudian tipe konduksinya adalah tipe-N. Struktur kristal lapisan terorientasi pada bidang (103), (004) dan (200) untuk penumbuhan kristal CuInSe2, dan pada bidang (100),(110) dan (220) untuk penumbuhan kristal CdS. Hasil pengamatan struktur mikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen, untuk lapisan CuInSe2 mempunyai ketebalan lapisan 1,0 mm dan lapisan CdS mempunyai ketebalan 0,6 mm.

Item Type: Article
Subjects: Rekayasa Perangkat dan Fasilitas Nuklir > Teknologi Proses Fasilitas Nuklir > Proses Non Nuklir
Divisions: Pusat Sains dan Teknologi Akselerator
Depositing User: EDITOR PSTA BATAN
Date Deposited: 16 May 2018 06:51
Last Modified: 16 May 2018 06:51
URI: http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/1827

Actions (login required)

View Item View Item