e-Repository BATAN

Advanced Search

LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS

Sujitno, Tjipto and Atmono, Trimardji and Sayono, Sayono and Susita R. M., Lely (2006) LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Ganendra, 9 (2). pp. 11-20. ISSN p-ISSN: 1410-6957, e-ISSN: 2503-5029

[img]
Preview
Text (LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS)
172-306-1-SM.pdf - Published Version

Download (447kB) | Preview

Abstract

LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS. Telah dibuat sensor gas dari bahan lapisan tipis ZnO dengan sistem larik menggunakan teknik D-C sputtering. Tujuan dari pembuatan sistem larik ini adalah untuk menyederhanakan sistem, memperkecil konsumsi daya dan untuk memperkecil tahanan lapisan tipis yang terbentuk. Untuk maksud tersebut sistem pemanas dibuat dari lapisan tipis emas dengan sistem larik dan ditumbuhkan pada salah satu sisi substrat alumina (Al2O3), sedangkan sistem elektroda dari lapisan tipis emas juga dalam bentuk sistem larik ditumbuhkan pada sisi yang lainnya. Selanjutnya lapisan tipis ZnO ditumbuhkan di atas elektroda menggunakan teknik sputtering. Dari hasil pengujian sistem pemanas dari tegangan baterai 1,5 volt hingga 9 volt diperoleh hasil temperatur sebesar 295 0C yang merupakan temperatur operasi sensor dicapai pada tegangan 4,5 volt, sedangkan untuk tegangan pemanas 9 volt, lapisan tipis pemanas mengelupas (rusak). Dari pengujian respon sensor untuk berbagai gas uji juga diperoleh hasil bahwa dengan sistem larik ternyata resistansinya juga semakin kecil, sebagai contoh resistansi untuk sistem satu larik sebesar 150 MΩ sedangkan resistansi untuk sistem 3 larik sebesar 39 MΩ. Berdasar uji sensitivitas sensor juga diperoleh hasil bahwa dengan jumlah larik yang lebih banyak ternyata sensor lebih sensitif. Dari hasil analisis struktur mikro menggunakan SEM teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentuk terdistribuasi secara merata pada permukaan substrat sedang ketebalan lapisan tipis dalam order 1,4 μm. Dari analisa unsur menggunakan EDX teramati bahwa lapisan yang terbentuk betul-betul senyawa ZnO dengan komposisi Zn = 80, 34 % massa dan O = 19,66 % massa. Dari analisa struktur kristal menggunakan XRD teramati bahwa lapisan tipis ZnO yang terbentuk merupakan polikristal dengan bidang-bidang kristal (110), (022), (101), (141), (211), (002) dan (301)

Item Type: Article
Subjects: Rekayasa Perangkat dan Fasilitas Nuklir > Teknologi Proses Fasilitas Nuklir > Proses Non Nuklir
Divisions: Pusat Sains dan Teknologi Akselerator
Depositing User: EDITOR PSTA BATAN
Date Deposited: 16 May 2018 08:02
Last Modified: 16 May 2018 08:02
URI: http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/1861

Actions (login required)

View Item View Item