e-Repository BATAN

Advanced Search

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA

Wirjoadi, wirjoadi and Sudjatmoko, sudjatmoko and Yunanto, yunanto and Siswanto, Bambang and Sulamdari, Sri (2003) PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA. Ganendra, 6 (1). pp. 35-42. ISSN p-ISSN: 1410-6957, e-ISSN: 2503-5029

[img]
Preview
Text (PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA)
JURNAL_WIRJOADI_PSTA_2003.pdf - Published Version
Available under License Creative Commons Attribution Non-commercial Share Alike.

Download (153kB) | Preview

Abstract

PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-Si:H) UNTUK BAHAN SEL SURYA. Telah dilakukan pembuatan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) untuk bahan sel surya. Lapisan tipis silikon amorf telah diketahui dan dapat dibuat, akan tetapi bahan lapisan tipis tersebut tidak dapat dimanfaatkan sebagai piranti elektronik. Pengontrolan valensi semi konduktor telah membuka jalan untuk pemanfaatan bahan tersebut untuk piranti-piranti elektro-nik terutama untuk piranti lapisan tipis photovoltaic, karena piranti photovoltaic seperti sel surya membutuhkan luasan aktif yang sangat besar untuk pengumpulan energi surya. Dalam penelitian ini deposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) dilakukan dengan metode sputtering pada beberapa variasi parameter, yaitu suhu substrat, tekanan gas dan lama waktu deposisi untuk mendapatkan sifat listrik, terutama nilai resistivitas lapisan optimum. Berdasarkan perhitungan dan analisa data pengukuran dengan probe empat titik, maka lapisan tipis silikon amorf diperoleh hasil nilai resistansi sebesar R = (1,68 ± 0,02) MΩ, nilai resistivitas ρ = (1,80 ± 0,05) Ωm dan nilai konduktivitas σ = (0,57 ± 0,02) Ω-1m-1, yang ini diperoleh pada kondisi suhu 300 oC, tekanan gas 7 x 10-2 torr, waktu deposisi 1,5 jam. Sedangkan hasil untuk lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-Si:H) diperoleh nilai resistansi optimum sebesar R = 1349,66 MΩ, pada suhu 300 oC, tekanan gas 3,8 x 10-2 torr dan waktu deposisi 1,5 jam.

Item Type: Article
Subjects: Isotop dan Radiasi > Produksi Isotop dan Sumber Radiasi > Iradiator
Isotop dan Radiasi > Produksi Isotop dan Sumber Radiasi > Akselerator
Rekayasa Perangkat dan Fasilitas Nuklir > Teknologi Proses Fasilitas Nuklir
Divisions: Pusat Sains dan Teknologi Akselerator
Depositing User: EDITOR PSTA BATAN
Date Deposited: 31 May 2018 05:27
Last Modified: 31 May 2018 05:27
URI: http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/2696

Actions (login required)

View Item View Item