Yunanto, yunanto and Sudjatmoko, sudjatmoko and Atmono, Trimardji and Wirjoadi, wirjoadi (2002) PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag. Ganendra, 5 (2). pp. 1-6. ISSN p-ISSN: 1410-6957, e-ISSN: 2503-5029

Preview

Text (PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag) JURNAL_YUNANTO_PSTA_2002.pdf - Published Version Available under License Creative Commons Attribution Non-commercial Share Alike. Download (478kB) | Preview

Abstract

PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-Si DAN Ag. Telah dilakukan deposisi lopisan tipis a-Si dan Ag pada substrat kaca untuk lapisan reflektor dan lapisan untuk membuat sambungan P-N untuk sel surya. Penelitian ini bertujuan mendapatkan tahanan lapisan tipis a-Si dan refleksivitas lapisan tipis Ag yang optimal, sehingga akan dipereroleh sel surya yang mempunyai efisiensi lebih tinggi. Target Si dan Ag secara terpisah ditumbuki dengan ion Ar dalam tabung sputtering, sehingga atom Si dan Ag akan terdeposisi pada substrat kaca. Untuk mengetahui struktur kristal data lapisan tipis Si diamati dengan XRD, refleksivitas lapisan tipis Ag menggunakan UV-Vis dan tahanan lapisan tipis Si dengan multimeter digital. Dari hasil pengamatan diperoleh hasil bahwa lapisan tipis Si menunjukkan amorf, refleksivitas tertinggi lapisan tipis Ag 78 % dan tahanan terkecil lapisan tipis a-Si: 77 mega Ohm.

Item Type:	Article
Subjects:	Isotop dan Radiasi > Produksi Isotop dan Sumber Radiasi > Iradiator Isotop dan Radiasi > Produksi Isotop dan Sumber Radiasi > Akselerator Rekayasa Perangkat dan Fasilitas Nuklir > Teknologi Proses Fasilitas Nuklir
Divisions:	Pusat Sains dan Teknologi Akselerator
Depositing User:	EDITOR PSTA BATAN
Date Deposited:	31 May 2018 05:33
Last Modified:	31 May 2018 05:33
URI:	http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/2698

Actions (login required)

View Item