e-Repository BATAN

Advanced Search

EFEK IMPLANTASI ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR Si TIPE N

Susita R. M., Lely and Sujitno, Tjipto (2005) EFEK IMPLANTASI ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR Si TIPE N. Prosiding Pertemuan dan Presentasi Ilmiah Teknologi Akselerator dan Aplikasinya, 7. pp. 95-105. ISSN 1411-1349

[img]
Preview
Text (EFEK IMPLANTASI ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR Si TIPE N)
PROSIDING_LELY SUSITA RM_PSTA_2005.pdf - Published Version
Available under License Creative Commons Attribution Non-commercial Share Alike.

Download (140kB) | Preview

Abstract

EFEK IMPLANTASI ION BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK SEMIKONDUKTOR Si TIPE N. Telah dilakukan penelitian tentang efek implantasi ion boron terhadap sifat kelistrikan semikonduktor silikon tipe N. Tujuan penelitian ini adalah untuk memperbaiki sifat kelistrikan semikonduktor silikon yang meliputi resistivitas keping, kapasitansi dan tegangan dadal, dengan cara menyisipkan ion-ion boron menggunakan teknik implantasi ion pada energi 40 keV, 80 keV dan 100 keV, dan variasi dosis dari 1,49 × 1015 ion/cm2 – 17,89 × 1015 ion/cm2. Untuk mengurangi kerusakan radiasi dan menempatkan ion-ion boron pada letak kisi aktif secara listrik maka semionduktor silikon yang diimplantasi dengan ion boron dianil pada suhu 900 0C selama 30 menit.. Berdasarkan analisa data hasil penelitian menunjukkan bahwa sifat kelistrikan dari silikon setelah diimplantasi dengan ion boron ditentukan oleh besarnya dosis dan energi ion. Nilai resistivitas terkecil pada energi 40 keV adalah 104,53 ohm/cm2 untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2, pada energi 80 keV adalah 107,93 ohm/cm2 untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2, dan nilai resistivitas terkecil pada energi 100 keV adalah 91,18 ohm/cm2 pada dosis 17,89 × 1015 ion/cm2. Nilai kapasitansi per satuan luas terbesar pada energi 40 keV adalah 570,33 pF/cm2 untuk dosis 8,95 × 1015 ion/cm2, pada energi 80 keV adalah 439,39 pF/cm2 untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2, serta pada energi 100 keV adalah 590,02 pF/cm2 untuk dosis 17,89×1015 ion/cm2. Tegangan dadal terbesar pada energi 40 keV dan 80 keV masing-masing adalah 15,13 volt dan 14,82 volt untuk dosis 8,95 × 1015 ion/cm2, sedangkan tegangan dadal terbesar pada energi 100 keV adalah 22,9 volt untuk dosis 4,47 × 1015 ion/cm2.

Item Type: Article
Subjects: Isotop dan Radiasi > Produksi Isotop dan Sumber Radiasi > Akselerator
Isotop dan Radiasi > Produksi Isotop dan Sumber Radiasi
Divisions: Pusat Sains dan Teknologi Akselerator
Depositing User: EDITOR PSTA BATAN
Date Deposited: 30 Oct 2018 07:58
Last Modified: 30 Oct 2018 07:58
URI: http://repo-nkm.batan.go.id/id/eprint/4216

Actions (login required)

View Item View Item